本文摘要：今年GalaxyS6的发布会上三星侧重讲解了性能，这也不该，却是本次S6的处理器用于了目前手机处理器之中最先进设备的14nmFinFET工艺生产，比较用于20nm的骁龙810处理器具有显著优势，那么这颗新的处理器究竟有多强？请求追随我们一起来可行性探究吧。

今年GalaxyS6的发布会上三星侧重讲解了性能，这也不该，却是本次S6的处理器用于了目前手机处理器之中最先进设备的14nmFinFET工艺生产，比较用于20nm的骁龙810处理器具有显著优势，那么这颗新的处理器究竟有多强？请求追随我们一起来可行性探究吧。　　　　7420处理器仅次于亮点在于用于了三星自己的14nmFinFET工艺制作，该工艺是目前手机处理器上最先进设备的之一台积电的16nm工艺仍未构建量产，而7420的竞争对手Snapdragon810处理器用于的还是20nm工艺，从制程工艺的数值上面来说，大自然是越小越好，因为晶体管之间的距离就越小，那么相对来说能耗就更加较低，性能就更加强劲，但若是晶体管之间距离太小则不会造成芯片有所不同部分之间再次发生溢电流（Leakage）现象，而FinFET工艺为了解决问题该问题，不会在两个传导地下通道之间重新加入一层外壳的硅鳍。　　　　英特尔发布的FinFET电子显微镜照片　　FinFET全称FinField-EffectTransistor（鳍式场效晶体管），是一种新的互补式金氧半导体（CMOS）晶体管。

Fin是鱼鳍的意思，FinFET命名根据晶体管的形状与鱼鳍的相似性，由加州大学伯克利分校的胡正明发明者，其工作原理是将晶体管由传统的平面结构变成3D结构，可在电路的两侧控制电路接上和插入，此种设计需要大幅提高电路掌控并增加溢电流（Leakage），同时也需要大幅延长晶体管的闸长。　　最先商业化用于FinFET技术的公司是英特尔，该公司在2011年发售了22nm的FinFET工艺，目前还包括三星、台积电和GlobalFoundries等在内的半导体厂家早已大力投身于FinFET的研究和前进工作。

　　　　众所周知，对于完全相同的处理器架构来说，更加较低的功耗意味著更加较低的痉挛，在功耗容许的情况下也需要尽量提高频率，或者在某种程度频率下需要节省宝贵的电力，而在Exynos7420这款处理器上面对于上面的特性都有一定的反映。

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