本文摘要：中国生产要升级到中国建构，并南北国际市场，中国标准需先行。经过近十年潜心研发培育，LED产业再一步入中国标准。 上证报最近得知，2015年度国家科学技术奖初定2016年1月份在人民大会堂举行颁奖典礼。 据分析，备受瞩目的技术发明者一等奖未来将会花落硅衬底低光效GaN基蓝色发光二极管项目（下称硅衬底项目）。硅衬底项目的主要参予人员孙钱昨日对上证报记者回应，从国家战略层面谈，硅衬底技术是我国享有自律知识产权的技术路线，可以建构中国几乎自律的LED产业。

中国生产要升级到中国建构，并南北国际市场，中国标准需先行。经过近十年潜心研发培育，LED产业再一步入中国标准。　　上证报最近得知，2015年度国家科学技术奖初定2016年1月份在人民大会堂举行颁奖典礼。

据分析，备受瞩目的技术发明者一等奖未来将会花落硅衬底低光效GaN基蓝色发光二极管项目（下称硅衬底项目）。硅衬底项目的主要参予人员孙钱昨日对上证报记者回应，从国家战略层面谈，硅衬底技术是我国享有自律知识产权的技术路线，可以建构中国几乎自律的LED产业。

　　与硅衬底技术三大LED三大技术路线的蓝宝石衬底技术曾获得2014年诺贝尔物理学奖。有产业经济学家回应，在成本持续上升的背景下，硅衬底技术如若能取得资本大力欢迎，LED产业格局未来将会被重塑。

　　未来将会获得国家大奖护持　　16日国务院常务会议通过2015年度国家科学技术奖票选结果，上证报根据此前的初评审批及历史经验辨别，2015年国家技术发明者一等奖未来将会被硅衬底低光效GaN基蓝色发光二极管夺回，因为这是本年度唯一一个选入该奖项初评一等奖的项目。　　硅衬底低光效GaN基蓝色发光二极管由江西省申报，项目主要参予人员还包括南昌大学的江风益教授、晶能光电（江西）有限公司的孙钱等人。

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